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每年到這時候，隨著下一代旗艦芯片設計的完成，并開始進入流片階段，市場就開始流出下一代手機旗艦芯片的各種信息。近期，微博大V“數碼閑聊站”就爆料稱高通下一代旗艦芯片SM8650也就是驍龍8 Gen 3不僅可能使用1（X4超大核）+5（2*A730大核+3*A710大核）+2（A520小核）。甚至可能使用更激進的2+4+2架構，即采用雙超大核設計。以進一步提高性能。

無論是1+5+3還是2+4+2架構，其實都透露出一個信息，那就是高通會在下一代的旗艦芯片中，繼續增加大核，甚至是超大核芯片，同時消減小核芯片。核戰爭將再度來臨。其實這也不奇怪，畢竟在驍龍8 Gen 2中，高通已經使用了1+4+3的架構，較之前的1+3+4架構而言，增加了一個大核。而正是這樣的改變，讓驍龍8 Gen2在面對天璣9200時，占盡優勢，不僅在跑分上有約5%的優勢，在市場上更是壓的天璣9200抬不起頭，在性能TOP 10產品中，驍龍8 Gen 2占了九席之多。

實際上，在SOC競爭中，高通在核心上已難有優勢，Kryo CPU基于ARM架構，高通自研和改進部分極少，Adreno GPU的性能也逐漸被ARM Mal追上，核心同質化，這也是高通在前些年，面對聯發科和麒麟的進攻中，難有性能優勢的根本原因。而在核心同質化時代，想要再提升性能，最簡單的辦法自然是增加大核甚至是超大核的數量，這樣就能夠在核心性能接近的前提下，讓SOC獲得更加強大的性能。

當然，想要增加大核，也不是件容易的事，首先面臨的就是發熱問題，從驍龍8 Gen 2的表現來看盡管驍龍8 Gen3依舊使用4nm工藝，增加一個A7系列的大核還是沒什么問題的。但能否增加一個X4超大核就不大好說了，從這點說，也許高通對驍龍8 Gen 3本身就有1+5+2和2+4+2這兩種方案，具體選哪一種，也許要流片后根據發熱來確定。

而另一個問題則是核心調度，實際上，驍龍8 Gen2的架構從之前的1+3+4改變為1+4+3架構，不僅是多調度一個大核，同時，其4個大核又由A715 A710兩種核心組成，這實際上讓驍龍8 Gen 2組成四重簇結構，再加上32位和64位不同的應用要調入相應的核心等等，這都要對調度機制進行全面改進，而在驍龍8 Gen 3上，無論是增加大核還是超大核，其調度難度都會有所增加，

而核心調度或是聯發科的薄弱環節，雖然三重簇架構最早是聯發科在Helio X20使用，但糟糕的調度，也創造出了“一核有難，九核圍觀”的笑話。之后，聯發科在多重簇調度上就遠落后于高通，如高通在2018年的驍龍855上就使用了1+3+4架構，而聯發科直到2022年的天璣9000上才使用這一架構，而在中端芯片上，甚至只有今年的天璣8200才使用了1+3+4架構。驍龍8 Gen 2使用1+4+3架構，想來聯發科也是早就知道的，只不過由于調度上難于滿足要求，因此在天璣9200上依舊使用1+3+4架構。

在這種情況下，聯發科或在明年的旗艦芯片，甚至是未來一段時間內，依舊使用1+3+4架構。在2023年，聯發科的日子并不好過，高端市場上驍龍8 Gen2已經力壓天璣9200，中端市場上，驍龍 7 Gen 2也將天璣8200逼近墻角。在這種情況下，核心調度表現不佳，或讓聯發科明年的日子更加難過，不僅好不容易獲得的旗艦市場會損失殆盡，甚至連中端市場也會進一步萎縮。

核戰爭，對聯發科巨大的考驗即將來到。